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三星更新技術(shù)路線圖：7nm 2019年規(guī)模量產(chǎn)、新增8nm LPU
三星晶圓廠分布
關(guān)于第一點(diǎn)，三星稱已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3工廠配置了多臺(tái)ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機(jī)，投資6萬(wàn)億韓元的新EUV產(chǎn)線預(yù)計(jì)2019年竣工，2020年擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
目前，官宣采用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。
關(guān)于第二點(diǎn)，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP減少10%的芯片面積和10%的功耗，看起來(lái)LPU將進(jìn)一步在功耗、面積上做文章。
由于三星7nm LPP補(bǔ)充產(chǎn)能需要等到2020年，此間就是8nm在市場(chǎng)大展拳腳的契機(jī)。按照Z(yǔ)DNet的說(shuō)法，高通也是三星8nm的客戶。
至于第三點(diǎn)，三星將FinFET技術(shù)的極限發(fā)揮到5nm LPE和4nm LPP，計(jì)劃2019年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。不過(guò)到了3nm時(shí)代，芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些時(shí)候試產(chǎn)。
另外，三星還表示，2019年，單芯片封裝技術(shù)3D SiP將準(zhǔn)備就緒。
免責(zé)聲明:文章內(nèi)容均來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)收集而來(lái)，版權(quán)歸原創(chuàng)者所有，如果侵犯了你的權(quán)益，請(qǐng)通知我們，我們會(huì)及時(shí)刪除侵權(quán)內(nèi)容
三星晶圓廠分布
關(guān)于第一點(diǎn)，三星稱已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3工廠配置了多臺(tái)ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機(jī)，投資6萬(wàn)億韓元的新EUV產(chǎn)線預(yù)計(jì)2019年竣工，2020年擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
目前，官宣采用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。
關(guān)于第二點(diǎn)，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP減少10%的芯片面積和10%的功耗，看起來(lái)LPU將進(jìn)一步在功耗、面積上做文章。
由于三星7nm LPP補(bǔ)充產(chǎn)能需要等到2020年，此間就是8nm在市場(chǎng)大展拳腳的契機(jī)。按照Z(yǔ)DNet的說(shuō)法，高通也是三星8nm的客戶。
至于第三點(diǎn)，三星將FinFET技術(shù)的極限發(fā)揮到5nm LPE和4nm LPP，計(jì)劃2019年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。不過(guò)到了3nm時(shí)代，芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些時(shí)候試產(chǎn)。
另外，三星還表示，2019年，單芯片封裝技術(shù)3D SiP將準(zhǔn)備就緒。
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